在快速熔断器触头分离和熄灭电弧过程中，不论何种类型的熔断器，都存在一个对应于某一开断电流值最有利的灭弧时刻。这时动、静触头的间距叫做最开距。
快速熔断器当触头间距到达最开距时，吹弧气流最强.或此时打开了第，一个吹弧道释放液(气)流。一般情况下，动、静触一头从金属分离到最洼开距之间的时间约为数MS，如欲顺利地开断电弧，则总是希望在最
开距时刻.电流瞬时值正好过零，以形成有利的灭弧条件。但是，交流电弧需每经过10ms、过零一次，而过零的时刻不一定正好为最开距的瞬间。
因此快速熔断器灭弧过程中电弧燃烧的时间一有长、短之分。单相电流，假设AA为动、静触头金属分离的瞬间，到达电流过零(O1点)经过的时间为AO。如电流过O1，点时触头间距为最开距，
则电弧在O1点熄灭。假设动、静触头金属分离瞬间在BB (AO，-BO = Q)。当达到O1。点时，触头所走过的时间仅为BO，熔断器，。如这段时间短到不能建立足够的灭弧气流量(或尚未建立起所需的最灭弧压力)，则电流虽在O1:点过零，却不能灭弧，灭弧瞬间将移至02点，即燃弧时间加长了10 Ms.假设动、静触头金属分离瞬间在，则.可以在O，点灭弧。如上所述，从AA到O1点的时间区段(即TN)是能在O1，点灭弧所需的最短时间，高压熔断器，亦即最短嫩弧时间，BO，电力熔断器， + 10 mS则是最长燃弧时间。因此，对单相快速熔断器而言，最长燃弧时间等于最短燃弧时间加10MS。
快速熔断器是一种熔断器的一种，快速熔断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流，因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同，但熔体材料和形状不同，
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